Kemiallinen höyrypinnoitus (ALD)
Oct 19, 2024| Kemiallinen höyrypinnoitus (ALD)
Atomic Layer Deposition (ALD) on tyhjiöpinnoitusprosessi, jossa aine kerrostetaan substraatille kerros kerrokselta yhtenä atomikerroksena.
ALD:n edut: kalvonmuodostuksen hyvä tasaisuus, tiheä ei reikiä, hyvät askelpeitto-ominaisuudet, voidaan suorittaa alhaisessa lämpötilassa (huoneenlämpötila - 400 astetta), voidaan helposti ja tarkasti ohjata kalvon paksuutta, laajalti sovellettavissa erilaisiin substraatin muodot, ei tarvitse kontrolloida reaktiomateriaalin virtauksen tasaisuutta. ALD-haitat: Hidas kalvon muodostus. Esimerkiksi sinkkisulfidi (ZnS) valoa säteilevät kerrokset nanorakenteisten eristeiden (Al2O3/TiO2) ja ohutkalvoelektroluminesenssinäyttöjen (TFEL) valmistukseen. Perinteisiin CVD:hen ja PVD:hen verrattuna ALD:n etuna on erinomainen 3D-muodollinen kalvonmuodostus, laaja pinta-alan tasaisuus ja tarkka paksuuden säätö, mikä soveltuu erittäin ohuiden kalvojen kasvattamiseen monimutkaisille pinnoille ja korkean kuvasuhteen rakenteille. Tällä hetkellä, kun alle 45 nm:n prosessien, erityisesti alle 28 nm:n prosessien tuotantolinjojen määrä on lisääntynyt, pinnoitteen paksuuden ja tarkkuuden hallinnan vaatimukset ovat korkeammat ja komponenttien tiheys- ja kuvasuhderakenteiden asteittainen esittely, ohutkalvopinnoitusteknologialla on yhä tärkeämpi rooli puolijohdeteollisuudessa.
IKS PVD-yritys, koristepinnoituskone, työkalujen päällystyskone, DLC-pinnoituskone, optinen päällystyskone, PVD-tyhjiöpinnoituslinja, avaimet käteen -projekti on saatavilla. Ota meihin yhteyttä nyt, sähköposti: iks.pvd@foxmail.com