Kuvaa erotus tyhjiöpinnoitteen ja vesipinnoituksen välillä
Nov 14, 2018| Kuvaa erotus tyhjiöpinnoitteen ja vesipinnoituksen välillä
Jos joku kysyy sinulta, mikä on elektrolyyttistä? Mitä sanoisit? Jotkut sanovat veden pinnoittamista, jotkut sanovat tyhjiöpinnoitus. Kumpi on oikein? Itse asiassa "galvanointi" tarkoittaa erilaisia asioita eri toimialoilla. Esimerkiksi nykyisessä matkapuhelinteolli- suudessa on vain vähän vesilevyjä. Monien ihmisten mieleen elektrolyyttinen käsittely viittaa yleisesti tyhjiöpinnoitteeseen, kun taas saniteettituotteissa vesilasitus on laajalti käytössä, tietenkin yhteinen galvanointi tarkoittaa vesipäällystystä. Sekä vesi-galvanointi että tyhjiöpinnoitus kuuluvat elektrolyyttistä kalvoa. Aloitetaan päällystyskalvon luokittelusta ja nähtävä ero erilaisten pinnoitustyyppien välillä.
Galvanointituotteet luokitellaan seuraavasti muovausmenetelmän mukaisesti:
1. Kiinteäfaasimenetelmä: --- kemiallinen muutos;
2. Nestefaasimenetelmä: ---> kemiallinen muutos
3. Ilmatieteellinen menetelmä: -> kemialliset ja fysikaaliset muutokset
Luokiteltu seuraavasti:
Yhteisiin pinnoitusmenetelmiin kuuluvat: vesipinnoitus, anodisointi, tyhjöhaihdutus, tyhjöpakkaus ja ionieristys.
Vesipinnoitus:
Avainsanat: anodinen liukeneminen, katodiliitos, sähkökemiallinen reaktio
Veden galvanointimenetelmää käytetään pääasiassa korkean heijastinvaikutuksen aikaansaamiseksi ja adheesikerroksen lisäämiseksi jne. Sen edut ovat suuret pinnoitusalueet, alhaiset kustannukset, suuri elektrolyyttitoksisuus ja suuri teollisuussaasteet.
Vesipinnoituslinja
Anodinen hapetusmenetelmä :
Avainsanat: metallioksidikalvo, sähkökemiallinen reaktio
Anodinen hapetus voidaan tehdä myös Ta2O2: een, TiO2: een, ZrO2: aan, Nb2O5: een, HfO2: een, WO3: een jne. Käytetään pääasiassa suojakalvona tai koristekalvona.
Anodisoitu tuote
Tyhjöhaihdutusta kutsutaan myös lämpöhaihdutukseksi
Prosessin avainsanat: korkea lämpötila haihtunut liuos, laskeuma peittävän kalvon jälkeen
Elokuvaaineiden eri lämmitysmenetelmien mukaan tyhjöhaihdutus voidaan jakaa epäsuoraan lämmitystyyppiin ja suora lämmitystyyppi.
1. Epäsuora lämmitystyyppi: vain haihdutuslähteelle, välillisesti aiheuttaen kalvon materiaalin haihtumisen lämmön vuoksi;
2. Suoraan lämmitystyyppi: käytetään suuritehoisia hiukkasia (elektronisuihku, plasma tai laser) tai suurtaajuus, jotta kalvoa voidaan höyrystyä suoraan höyrystyslähteellä ja haihtua; *
Jotta lähde (säiliö) ei haihtuisi kalvomateriaalin mukana, lähdemateriaalin sulamispisteen on oltava suurempi kuin kalvomateriaalin kiehumispiste.
Haihdutusperiaate
Vastuslämmitys ja haihtuminen
Kalvomateriaalia kuumennetaan epäsuorasti vastuksen kautta kulkevan sähkövirran tuottamalla lämpöenergiaa. Laite on seuraavanlainen:
Vastuslämmitys ja haihtuminen
Vastuslämmön haitat:
1. Haihdutuslähde on lämmitettävä ennen lämmön siirtämistä kalvomateriaaliin. Haihdutuslähde on helppo vaikuttaa materiaali- tai lyijypitoisuuksiin;
2. Haihdutuslähteen lämmityslämpötila on rajoitettu, ja suurin osa oksidista korkeassa sulamispisteessä ei voida sulattaa ja haihtua;
3. Rajoitettu haihdutusnopeus;
4. Jos päällystysaine on yhdiste, se voi hajota;
5. Kalvo ei ole kova, matala tiheys ja heikko tartunta.
Sputterointipäällyste
Avainsanat: ionisoitu inertti kaasu, tavoitepommitus, kohdehuuhtelu, kerrostuminen, jäähdytys, kalvonmuodostus
Sputterointipäällystyskoneen periaate on onkalo, joka pumppaa ilmaa tyhjiötilaan suoraan kalvamateriaalina (kohde) elektrodeina käyttäen elektrodeja katso sähköä 5 kv ~ 15 kv kohdemateriaalin plasmapommitusta, kaasun samanaikaista ilmanvaihtoa, kaasun ionisaatiota, liikkuvat hiukkaset plasmassa, ioni-isku kohdemateriaalissa ja materiaali-atomit, joista on kerrostettu substraatin pinnalle, jäähdyttämällä tiivistetty kalvoon.
Magnetronpullointipinnoitus
Elektrodin rakenne paranee dc: n tai radiotaajuisen sputteroinnin perusteella eli katodin sisäpuolella on kestomagneetti ja magneettikenttä on kohtisuorassa sähkökentän suunnassa tummalla alueella, joten jotta rajoitetaan magneettikentän varautuneiden hiukkasten toimintaa. Tätä sputterointimenetelmää kutsutaan magnetron-sputteroinniksi .

Magnetron-sputterointi kaavakuva
Koska magneettikentän voima on kohtisuorassa elektronien suuntaan, muodostuu elektronikyklo- logeenin keskipitkinen voima. Tällä hetkellä neutraalien lajien välisen törmäyksen todennäköisyys kasvaa ja ohutkalvot voidaan tehdä alhaisessa paineessa.
Alhaisen paineen lisäksi kahdella magnetron-sputteroinnin etuna on suuri nopeus ja matala lämpötila.
Mutta magnetronpuristuksella on myös joitain ongelmia, kuten esimerkiksi tasomaisen magneettisen säätöelektrodin magneettisen säätöelektrodin tapauksessa, keskus- ja perifeerinen kohdemateriaali ei ole kohtisuorassa voimalaitoksen magneettikentän komponenttiin nähden yhä enemmän pienempiä, toisin sanoen rinnakkain magneettikentän kohdepinnan kanssa komponentti on pienikokoinen, pyöreällä alueella kohdemateriaalin pinnalla pörröimällä epätavallisen nopeasti, kun taas keski- ja reuna-sputterointi vähenee, joten se on w-muotoinen erosionaalinen laakso, vähentää kohdemateriaalin käyttöastetta ja voi vaikuttaa kalvon yhtenäisyys.
Ionipinnoitusperiaate
Ion Plating
Avainsanat: tyhjökaasun purkautuminen, dissosiaatiotavoite, pommitusalusta
Pääperiaate on erottaa kalvomateriaali ionitilaan käyttämällä kaasupurkausilmiötä ja sitten panna se substraattiin.
Ionipinnoituksen perustavanlaatuinen galvanointijärjestelmä on PVD-järjestelmä, joka vain lisää reaktiivisia kaasuja sen saattamiseksi reagoimaan kalvomateriaalin kanssa haihdutuksen jälkeen ja sitten talletetaan alustalle yhdisteiden muodostamiseksi. Siksi kalvopäällysteen koostumus eroaa alkuperäisestä kalvomateriaalista, ja se on perusmateriaalin yhdiste.
Ionipinnoitus koostuu periaatteessa kolmesta vaiheesta:
1. Kiinteiden atomeiden muuntaminen kaasumaisille atomeille: erilaiset haihdutuslähteet ja erilaiset sputterointimekanismit voivat olla tyhjöhaihdutus tämän tavoitteen saavuttamiseksi;
2. Käännä kaasumaiset atomeja ionisiin tiloihin raaka-aineen ionisaation lisäämiseksi (yleensä enintään 1) . Erilaisia ionielementtejä voidaan käyttää siirtämään energiaa raaka-ainemolle, jolloin ionisaation aste saavutetaan alussa.
3. Lisää ionimateriaalin energiaa kalvon laadun parantamiseksi: ionien kiihdytyskyky voidaan saavuttaa lisäämällä periaatteessa sopivaa negatiivista esijännitystä .
Ionipinnoituksen ominaisuudet ovat seuraavat:
Ionipinnoitus voidaan suorittaa alemmassa lämpötilassa 600 ° C;
2. Hyvä tartunta;
3. Hyvä diffraktiota varattu atomivoima saavuttaa kaikki peruspinnan ja tallettaa pinnoitteen;
4. Laskeutumisnopeus on nopea, saavuttaa 1 ~ 5um, kun taas sekundäärilevyn sputterointinopeus on vain 0,01 - 1,0um / min;
5. Ohutkalvomateriaalien käsittelyominaisuus ja selektiivisyys ovat laaja. Metallien lisäksi keramiikkaa, lasia ja muoveja voidaan käsitellä.
PVD kolme luokkaa teknisten ominaisuuksien vertailu
Yllä on yksinkertainen päällystysprosessin kampaus. Jos haluat jakaa mielenkiintoisempia sisältöjä, voit jättää viestin artikkelin lopussa.
IKS PVD räätälöi sopivan pvd-tyhjiöpinnoituslaitteen sinulle, ota yhteyttä nyt.
iks.pvd@foxmail.com



